Книга Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells MUHAMMED SHIBIB

Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells

Автор: MUHAMMED SHIBIB
Език: Английски език
Корици: С меки корици
Наличност: Външен склад
Изпращаме след 9-15 дни
61.84 120.95 лв
Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the...

Информация за книгата

Автор
Език
Английски език
Корици
Книга - С меки корици
Издадена
2019
страници
206
EAN
9780530008127
ISBN
0530008122
Enbook ID
22569085
Теглоt
490
Размери
216 x 279 x 11

Пълно описание

Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the anomolously large recombination current experimentally observed in heavily doped regions of silicon pn-junction solar cells and bipolar transistors. The

Може също да ви хареса

75.81 148.27 лв
12.92 25.26 лв

Conflict

David Petraeus
10.86 21.24 лв
8.26 16.15 лв

Whale Fishery of New England

State Street Trust Company
19.02 37.21 лв
52.68 103.02 лв
22.28 43.57 лв
37.05 72.47 лв

Womb of Uncreated Night

Antonides Chris Antonides
30.89 60.42 лв
8.36 16.35 лв

Клиенти, които купиха тази книга, купиха също

24.68 48.28 лв
12.46 24.38 лв
13.27 25.95 лв
6.05 11.84 лв

Programmare

Miller Daniel E. Miller
17.42 34.07 лв
30.34 59.34 лв
10.71 20.95 лв