Книга Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells MUHAMMED SHIBIB

Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells

Автор: MUHAMMED SHIBIB
Език: Английски език
Корици: С твърди корици
Наличност: Външен склад
Изпращаме след 9-15 дни
86.78 169.72 лв
Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the...

Информация за книгата

Автор
Език
Английски език
Корици
Книга - С твърди корици
Издадена
2019
страници
206
EAN
9780530008134
ISBN
0530008130
Enbook ID
22569086
Теглоt
767
Размери
216 x 279 x 13

Пълно описание

Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the anomolously large recombination current experimentally observed in heavily doped regions of silicon pn-junction solar cells and bipolar transistors. The

Може също да ви хареса

Wikinomics

Don Tapscott
21.99 43.01 лв

SS France / Norway

William H Miller
27.42 53.62 лв

Клиенти, които купиха тази книга, купиха също

10.09 19.73 лв
16.67 32.60 лв
6.47 12.66 лв