Немски език
Der vorliegende Band der Buchreihe "Halbleiter-Elektronik" behan delt Feldeffekttransistoren. Diese Gruppe von Bauelementen besitzt eine Reihe von speziellen Eigenschaften, die eine gesonderte Darstel lung rechtfertigen. Der Text ist so abgefaBt, daB er flir sich verstandlich ist. Dem Leser sei jedoch empfohlen, sich mit dem Stoff des Bandes 1 ("Grund lagen der Halbleiter-Elektronik") vertraut zu machen. Einzelprobleme werden nur so weit behandelt, wie sie flir die vorliegende Darstellung erforderlich sind. Darliber hinaus wird auf die Literatur verwiesen. Ziel auch dieses Bandes ist, den Leser in das Fachgebiet einzu flihren und ihm eine flir ein Weiterstudium ausreichende Kenntnis des Teilkomplexes "Feldeffekttransistoren" zu vermitteln. Die Behandlung der Grundlagen steht damit im Vordergrund, das breite Gebiet des Schaltungseinsatzes der Bauelemente wird nur kurz gestreift. Meinen Mitarbeitern darf ich flir eine Reihe von Hinweisen und das Lesen der Korrektur herzlich danken. Der Dank gilt auch Frau Sievers flir das Schreiben des Manuskripts. Aachen, im August 1973 Heinz Beneking 5 I nhaltsverzeich nis Besondere Bezeichnungen und Begriffe . . . . . . . 9 Einleitung .... . . . . . . . . . . 11 . . 1. Ubersicht tiber die verschiedenen Arten von Feldeffekttr- sistoren ..... . 13 1.1. Einftihrung. . . . . . . . . . . . . . 13 . . . 1. 2. Feldeffekttransistoren mit Steuerung tiber gesperrte Diode . . . . . . . . . . . . .. . 25 . .
