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Ce travail met en évidence l'importance du silicium poreux en présence de tétrachlorure de silicium dans le gettering et le blocage des impuretés lors de la croissance et l'obtention de couches minces de trčs grande qualité. La premičre partie est consacrée ŕ une généralité sur les propriétés des couches minces de Si. Dans la deuxičme partie nous présentons les propriétés du silicium poreux (SP) et son effet de gettering. L'effet de gettering par SP en présence du SiCl4 a été évalué par l'augmentation prononcée de la mobilité des porteurs majoritaire et la longueur de diffusion des porteurs minoritaires. Dans la troisičme partie est présenté le montage utilisé, ainsi que les conditions d'élaboration des couches de silicium. La derničre partie donne les résultats des caractérisations structurales et électriques des couches minces élaborées sur des substrats de SP. Les résultats montrent que la mobilité des porteurs varie de 107 ŕ 186 cm˛V-1s-1 et est plus élevée que celles obtenues par LPCVD et RT-LPCVD.
