Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering

Name: Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering
Brand: Taylor & Francis Inc
SKU: 9781439849590
Price: 167.18 EUR
Availability: InStock

Автор: Hei Wong

Език:

Корици: С твърди корици

Издател: Taylor & Francis Inc

Наличност: Външен склад

Изпращаме след 14-21 дни

167.18 € 326.98 лв

Covering the physics, materials, devices, and fabrication processes for high-k gate dielectric mater...

Информация за книгата

Автор

Hei Wong

Език

Английски език

Корици

Книга - С твърди корици

Издадена

2011

страници

248

EAN

9781439849590

ISBN

9781439849590

Enbook ID

06708163

Издател

Taylor & Francis Inc

Теглоt

500

Размери

163 x 242 x 20

Пълно описание

Covering the physics, materials, devices, and fabrication processes for high-k gate dielectric materials, this text systematically describes how the fundamental electronic structures and other material properties of the transition and rare earth metals affect the electrical properties of the dielectric films, the dielectric/silicon and the dielectric/metal gate interfaces, and the resulting device properties. Specific topics include the problems and solutions encountered with high-k material thermal stability, defect density, and poor initial interface with silicon substrate. The text also addresses the essence of thin film deposition, etching, and process integration of high-k materials in an actual CMOS process.

Може също да ви хареса

Клиенти, които купиха тази книга, купиха също

Най-често търсени

Categories

Authors

Publishers

Продукти

Продукти

Най-често търсени

Categories

Authors

Publishers

Продукти

Продукти

Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering

Информация за книгата

Пълно описание

Може също да ви хареса

Клиенти, които купиха тази книга, купиха също