Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

Name: Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Brand: Springer Verlag GmbH
SKU: 9783709103814
Price: 157.47 EUR
Availability: InStock

Автор: Viktor Sverdlov

Език:

Корици: С твърди корици

Издател: Springer Verlag GmbH

Наличност: Външен склад

Изпращаме след 10-13 дни

157.47 € 307.99 лв

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an import...

Информация за книгата

Автор

Viktor Sverdlov

Език

Английски език

Корици

Книга - С твърди корици

Издадена

2010

страници

252

EAN

9783709103814

ISBN

3709103819

Enbook ID

01705627

Издател

Springer Verlag GmbH

Теглоt

631

Размери

173 x 246 x 19

Пълно описание

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.

Може също да ви хареса

Клиенти, които купиха тази книга, купиха също

Най-често търсени

Categories

Authors

Publishers

Продукти

Продукти

Най-често търсени

Categories

Authors

Publishers

Продукти

Продукти

Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

Информация за книгата

Пълно описание

Може също да ви хареса

Клиенти, които купиха тази книга, купиха също